أعلنت اليوم شركة سامسونج لسوق الهواتف المحموله عن الجيل القادم من الذاكرات العشوائيه خلال مؤتمر ISSCC وهي الذاكرت العشوائيه DDR3 والتي تقول بأنه أسرع بمرتين من الذاكرت العشوائيه LPDDR2 .الذاكره العشوائيه LPDDR3 بسعة 4 جيجابايت ستعمل بتقنية 30 نانومتر ويمكن لهذه الذاكره العشوائيه رفع من قوة أداء الهاتف والتعامل مع الفيديوهات عالية الدقه والألعاب ورسومات ثلاثية الأبعاد
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق