أكدت شركة سامسونج اليوم بأنها بدأت عملية الأنتاج للذاكره العشوائيه بسعة 4 جيجابت بتقنية 20 نانومتر LPDDR2 لتكون بحجم أصغر وبنفس الأداء لتقنية 30 نانومتر لتصل سرعة الأداء 1066 ميجابت بالثانيه وذو أستهلاك أقل للطاقه بمقدار 20 بالمئه مقارنة بالجيل القديم وتستهدف الهواتف المحموله الخارقه وكذالك الأجهزه اللوحيه
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق